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LTC4449IDCB#TRPBF 零件图片(仅供参考)

LTC4449IDCB#TRPBF
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LTC4449IDCB#TRPBF 规格参数

LTC4449IDCB#TRPBF是一款来自ADI的高性能半桥栅极驱动器,采用8-DFN封装,专为驱动N沟道MOSFET优化。其核心价值在于提供强大、快速且可靠的开关控制,峰值输出电流达4.5A(拉)和3.2A(灌),配合仅数纳秒级的开关速度,能显著降低功率器件的开关损耗。

该器件支持4V至6.5V的宽供电范围,高端驱动通过自举电路可承受最高42V电压。其非反相输入逻辑兼容3V信号,并内置死区时间控制以防止直通,工作温度范围覆盖-40°C至125°C,确保了在苛刻环境下的鲁棒性。这些特性使其成为高效率DC-DC转换器和电机驱动应用的理想选择。

  • 型号:LTC4449IDCB#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-DFN(2x3)
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:4V ~ 6.5V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:3V,6.5V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):3.2A,4.5A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):42 V
  • 上升/下降时间(典型值):8ns,7ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:8-DFN(2x3)
  • LTC4449IDCB#TRPBF,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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LTC4449IDCB#TRPBF 基本参数:

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