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LTC4449IDCB#TRMPBF是ADI公司的一款有源半桥栅极驱动器IC，属于电源管理产品线。该器件设计用于同步驱动两个N沟道MOSFET，采用4V至6.5V单电源供电，其高压侧最高可支持42V自举电压。

其核心优势在于强大的4.5A拉电流和3.2A灌电流驱动能力，配合仅8ns和7ns的典型上升/下降时间，可实现功率MOSFET的极速开关，有效优化开关电源的效率和EMI性能。器件工作温度范围覆盖-40°C至125°C，采用8-DFN表面贴装封装，为高可靠性、高功率密度的工业与通信电源应用提供了紧凑而高效的解决方案。

• 型号:LTC4449IDCB#TRMPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-DFN（2x3）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4V ~ 6.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:3V，6.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.2A，4.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:42 V
• 上升/下降时间（典型值）:8ns，7ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-DFN（2x3）
• LTC4449IDCB#TRMPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。