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LTC4447IDD#PBF是ADI推出的一款半桥栅极驱动器IC，采用12-DFN封装，专为驱动N沟道MOSFET设计。其核心价值在于提供高速、大电流的驱动能力，典型上升/下降时间分别为8ns和7ns，峰值输出电流达3.2A，能显著降低开关损耗，提升电源转换效率。

该器件工作电压为4V至6.5V，高侧驱动通过自举最高支持42V电压，输入逻辑兼容TTL/CMOS电平。其宽工作温度范围（-40°C 至 125°C）和内置保护功能，使其成为要求高可靠性和高效率的同步整流、DC-DC转换及电机驱动应用的理想选择。

• 型号:LTC4447IDD#PBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:12-DFN（3x3）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4V ~ 6.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:2.5V，3V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3.2A，3.2A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:42 V
• 上升/下降时间（典型值）:8ns，7ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:12-WFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:12-DFN（3x3）
• LTC4447IDD#PBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。