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LTC4446IMS8E#TRPBF是ADI公司生产的一款有源、表面贴装型半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC类别。该器件采用8-MSOP封装，以卷带形式供货，专为驱动两个N沟道MOSFET而设计，适用于构建高效的半桥功率级。

其核心特性包括高达114V的自举电压能力，以及强大的3A拉电流和2.5A灌电流峰值输出，配合极快的8ns（典型）上升和5ns（典型）下降时间，可显著优化MOSFET的开关性能。器件工作电压范围为7.2V至13.5V，逻辑输入兼容标准电平，并能在-40°C至125°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在苛刻环境下的高可靠性。

• 型号:LTC4446IMS8E#TRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:7.2V ~ 13.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.85V，3.25V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V
• 上升/下降时间（典型值）:8ns，5ns
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• LTC4446IMS8E#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。