我们为全球各个行业提供ADI（亚德诺） LTC4446IMS8E#PBF现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

LTC4446IMS8E#PBF是亚德诺半导体（ADI）推出的一款有源、半桥配置的N沟道MOSFET栅极驱动器IC。该器件采用独立式双通道设计，集成自举二极管，其7.2V至13.5V的宽电源电压范围和高达114V的高侧耐压能力，为高压应用提供了灵活的解决方案。

其核心优势在于极快的开关速度（典型上升/下降时间为8ns/5ns）和强大的峰值驱动电流（拉电流3A，灌电流2.5A），能有效降低开关损耗并确保功率MOSFET的可靠切换。器件逻辑输入兼容标准电平，工作温度范围达-40°C至125°C，采用8-MSOP封装，适用于对效率和可靠性要求严苛的工业及通信电源系统。

• 型号:LTC4446IMS8E#PBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:7.2V ~ 13.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.85V，3.25V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V
• 上升/下降时间（典型值）:8ns，5ns
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• LTC4446IMS8E#PBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。