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LTC4446EMS8E#TRPBF是ADI公司推出的一款半桥栅极驱动器IC，采用8-MSOP封装，专为驱动N沟道MOSFET设计。其核心优势在于提供高达3A（拉出）和2.5A（灌入）的峰值驱动电流，结合仅8ns和5ns的典型开关时间，能够实现功率MOSFET的极速开关，有效降低开关损耗，提升系统效率。

该器件支持7.2V至13.5V的宽供电范围，高侧驱动自举电压最高可达114V，并具备-40°C至125°C的宽工作结温范围，确保了其在工业、通信及汽车电子等严苛环境下的可靠性与适应性。其非反相输入逻辑与独立的通道控制，为构建高效的同步整流、电机驱动及DC-DC电源转换系统提供了简洁而强大的解决方案。

• 型号:LTC4446EMS8E#TRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:7.2V ~ 13.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.85V，3.25V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V
• 上升/下降时间（典型值）:8ns，5ns
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• LTC4446EMS8E#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。