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零件图片(仅供参考)
LTC4444MPMS8E
规格参数

LTC4444MPMS8E是ADI公司推出的一款半桥栅极驱动器IC,采用8-MSOP表面贴装封装。该器件专为驱动N沟道MOSFET设计,提供高压侧和低压侧同步驱动,其高压侧自举电压最高可达114V,供电电压范围为7.2V至13.5V,确保了驱动的灵活性与宽电压适应性。

其核心优势在于强大的驱动能力,峰值输出电流达3A(拉)和2.5A(灌),配合80ns和50ns的典型上升/下降时间,能够实现功率MOSFET的快速、高效开关,显著降低开关损耗。器件逻辑输入为非反相,具备明确的阈值电压,噪声容限高。工作结温范围覆盖-40°C至150°C,满足工业及汽车等高可靠性应用场景的严苛环境要求。

  • 制造商产品型号:LTC4444MPMS8E
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:最後
  • 驱动配置:高压侧或低压侧
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:7.2V ~ 13.5V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:2.75V,2.25V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):2.5A,3A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):114V
  • 上升/下降时间(典型值):80ns,50ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • LTC4444MPMS8E,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:LTC4444MPMS8E
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
  • 产品应用分类:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处查询LTC4444MPMS8E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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