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LTC4444IMS8E#WTRPBF 是一款来自Analog Devices的AEC-Q100汽车级、半桥栅极驱动器IC，采用8-MSOP封装。该器件专为驱动N沟道功率MOSFET而设计，集成两个独立通道，可提供高达3A（拉电流）和2.5A（灌电流）的峰值驱动电流，并具备极快的8ns（上升）和5ns（下降）开关速度，能有效优化功率转换效率并降低开关损耗。

其工作电压范围为7.2V至13.5V，兼容低电压逻辑输入，并支持高达114V的自举电压，为高压侧驱动提供了灵活性。器件内置关键保护功能，并可在-40°C至125°C的宽结温范围内稳定工作，其稳健的设计使其成为汽车电子、工业电源及电机驱动等高要求应用中驱动功率开关的理想选择。

• 型号:LTC4444IMS8E#WTRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:7.2V ~ 13.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.85V，3.25V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V
• 上升/下降时间（典型值）:8ns，5ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• LTC4444IMS8E#WTRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。