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零件图片（仅供参考）
LTC4444IMS8E#WPBF
规格参数

LTC4444IMS8E#WPBF 是ADI推出的一款AEC-Q100汽车级、半桥栅极驱动器IC，采用8-MSOP封装。该器件设计用于高效驱动两个N沟道MOSFET，其高压侧通道支持最高114V的自举电压，并集成了自举二极管，简化了电路设计。

它具备优异的驱动能力，提供3A拉电流和2.5A灌电流的峰值输出，结合仅8ns和5ns的典型上升/下降时间，可实现高速开关，有效降低功率损耗。器件工作电压范围为7.2V至13.5V，逻辑输入兼容宽阈值，并在-40°C至125°C的结温范围内保证性能，满足汽车及工业应用中对鲁棒性和可靠性的严苛要求。

  • 制造商产品型号：LTC4444IMS8E#WPBF
  • 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
  • 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
  • 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装：管件
  • 系列：Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态：有源
  • 驱动配置：半桥
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电：7.2V ~ 13.5V
  • 逻辑电压-VIL，VIH：1.85V，3.25V
  • 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，3A
  • 输入类型：非反相
  • 高压侧电压-最大值（自举）：114V
  • 上升/下降时间（典型值）：8ns，5ns
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
  • LTC4444IMS8E#WPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：LTC4444IMS8E#WPBF
  • 原始制造厂商：ADI（ANALOG DEVICES，亚德诺半导体）
  • 技术标准参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
  • 产品应用分类：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处查询LTC4444IMS8E#WPBF的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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