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LTC4444IMS8E#TRPBF 零件图片(仅供参考)

LTC4444IMS8E#TRPBF
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LTC4444IMS8E#TRPBF 规格参数

LTC4444IMS8E#TRPBF是一款由ADI公司生产的有源、半桥配置栅极驱动器IC,采用8-MSOP表面贴装封装。该器件专为驱动两个N沟道MOSFET而设计,提供独立的通道控制,其7.2V至13.5V的宽电源电压范围与1.85V/3.25V的逻辑输入阈值,确保了与多种控制器的兼容性。

其核心性能优势体现在强大的开关驱动能力上,峰值拉出和灌入电流分别达到3A和2.5A,配合仅8ns和5ns的典型上升/下降时间,能够实现功率MOSFET的极速开关,有效降低开关损耗,提升系统效率。此外,器件支持高达114V的自举电压,并可在-40°C至125°C的结温范围内稳定工作,为高压、高频及环境要求严苛的应用提供了可靠的驱动解决方案。

  • 型号:LTC4444IMS8E#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-MSOP-EP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:7.2V ~ 13.5V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:1.85V,3.25V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.5A,3A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):114 V
  • 上升/下降时间(典型值):8ns,5ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:8-MSOP-EP
  • LTC4444IMS8E#TRPBF,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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LTC4444IMS8E#TRPBF 基本参数:

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