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LTC4444HMS8E#WPBF 是一款来自ADI的AEC-Q100汽车级认证半桥栅极驱动器IC，采用8-MSOP封装。该器件设计用于高效驱动两个N沟道MOSFET，其核心优势在于提供3A拉电流和2.5A灌电流的强劲驱动能力，以及仅8ns和5ns的典型快速开关速度，这有助于最大化降低开关损耗并提升系统效率。

该驱动器支持7.2V至13.5V的宽范围工作电压，逻辑输入兼容标准TTL/CMOS电平。其集成自举二极管，可支持高端驱动电压最高至114V，简化了电路设计。器件可在-40°C至150°C的严苛结温范围内稳定工作，具备欠压锁定保护，确保在汽车电子、工业电源等要求高可靠性和高性能的同步整流、电机驱动及桥式拓扑应用中实现可靠且高效的功率开关控制。

• 型号:LTC4444HMS8E#WPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:7.2V ~ 13.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.85V，3.25V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V
• 上升/下降时间（典型值）:8ns，5ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• LTC4444HMS8E#WPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。