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LTC4444HMS8E-5#TRPBF是ADI（亚德诺半导体）推出的一款有源、半桥配置的N沟道MOSFET栅极驱动器IC。该器件集成了两个独立驱动器，可提供3A拉电流和2.5A灌电流的峰值输出能力，配合极短的开关时间（典型上升/下降时间为8ns/5ns），能显著降低功率MOSFET的开关损耗，提升电源转换效率。

其设计支持4.5V至13.5V的宽范围VCC供电，高压侧凭借集成自举二极管可支持最高114V的工作电压，简化了高压侧驱动电源的设计。逻辑输入兼容TTL/CMOS电平，具备良好的噪声抑制能力。器件采用8-MSOP封装，工作结温范围为-40°C至150°C，适用于要求高可靠性、高功率密度的工业与通信电源解决方案。

• 型号:LTC4444HMS8E-5#TRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.5V ~ 13.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.85V，3.25V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V
• 上升/下降时间（典型值）:8ns，5ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• LTC4444HMS8E-5#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。