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LTC4444EMS8E-5#TRPBF是一款来自ADI的紧凑型半桥栅极驱动器，采用8-MSOP表面贴装封装，专为高效驱动N沟道MOSFET设计。其核心优势在于提供高达3A（拉出）和2.5A（灌入）的峰值驱动电流，并具备仅8ns和5ns的快速开关特性，能显著降低功率器件的开关损耗。

该器件工作电压范围为4.5V至13.5V，高压侧支持最高114V的自举电压，兼容宽泛的电源设计。其非反相输入逻辑与标准的TTL/CMOS电平兼容，并内置欠压锁定保护。凭借-40°C至125°C的宽工作结温范围，它能够满足工业、通信及汽车电子等领域对高可靠性和高效率电源转换的需求。

• 型号:LTC4444EMS8E-5#TRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.5V ~ 13.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.85V，3.25V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V
• 上升/下降时间（典型值）:8ns，5ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• LTC4444EMS8E-5#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。