

LTC4376IDHD#TRPBF是一款集成了理想二极管与均流控制功能的电源管理IC。该器件通过驱动外部N沟道MOSFET,模拟出一个具有极低正向压降(可低至20mV)和快速反向阻断(关断延迟300ns)的理想二极管,显著降低了传统肖特基二极管方案的功率损耗。
其核心特性包括宽达4V至40V的工作电压范围、高达7A的输出电流能力以及仅150A的低静态电流。该芯片支持多器件并联以实现负载均流,内置匹配的MOSFET驱动器,并具备-40°C至85°C的工业级工作温度范围。这些参数使其成为构建高效、可靠电源路径的理想解决方案。
该产品主要面向汽车电子、冗余电源系统、便携式电池设备以及计算机系统等应用,为电源ORing、防反接和负载均流提供了高集成度的单片式方案。



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