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LTC4359HMS8#WTRPBF是一款汽车级、N+1 ORing控制器，用于驱动外部N沟道MOSFET，以模拟理想二极管行为，实现冗余电源路径的“或”操作。其设计旨在取代低效的肖特基二极管，显著降低正向压降和功率损耗。

该器件具备4V至80V的宽工作电压范围和仅150A的低静态电流，支持-40°C至125°C的严苛工作温度。其关键特性在于极快的300ns关断延迟，能迅速阻断反向电流，与200s的开启延迟相结合，确保了电源切换的可靠性与无缝性。这些参数使其成为电信、汽车及工业领域高可用性电源系统的理想选择。

• 型号:LTC4359HMS8#WTRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > OR 控制器，理想二极管
• 描述:IDEAL DIODE CNTR W/ REVERSE IN P
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:N+1 ORing 控制器
• FET 类型:N 通道
• 比率 - 输入:N：1
• 内部开关:无
• 延迟时间 - 开启:200 s
• 延迟时间 - 关闭:300 ns
• 电流 - 输出（最大值）:220A
• 电流 - 供电:150 A
• 电压 - 供电:4V ~ 80V
• 应用:冗余电源，电信基础结构
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 供应商器件封装:8-MSOP
• LTC4359HMS8#WTRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。