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零件图片（仅供参考）
LTC3900HS8#PBF
规格参数

LTC3900HS8#PBF是ADI公司推出的一款双通道低端MOSFET栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装。该器件专为驱动N沟道MOSFET设计，每个通道可提供高达2A的峰值拉电流和灌电流，并具备仅15ns的典型上升/下降时间，能显著降低开关损耗，提升电源系统的开关频率与整体效率。

其工作电压范围为4.5V至11V，支持同相与反相输入逻辑，为同步整流等拓扑提供了灵活的控制接口。该器件具备-40°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在工业级应用环境下的高可靠性，是高性能开关电源、电机驱动和DC-DC转换器设计的理想选择。

  • 制造商产品型号：LTC3900HS8#PBF
  • 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
  • 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO
  • 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 驱动配置：低端
  • 通道类型：同步
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电：4.5V ~ 11V
  • 逻辑电压-VIL，VIH：-
  • 电流-峰值输出（灌入，拉出）：2A，2A
  • 输入类型：反相，非反相
  • 高压侧电压-最大值（自举）：-
  • 上升/下降时间（典型值）：15ns，15ns
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • LTC3900HS8#PBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：LTC3900HS8#PBF
  • 原始制造厂商：ADI（ANALOG DEVICES，亚德诺半导体）
  • 技术标准参数：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO
  • 产品应用分类：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处查询LTC3900HS8#PBF的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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