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LTC1982ES6#TRPBF 是ADI推出的一款双通道高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC，采用微型SOT-23-6封装。其核心特性是支持1.8V至5.5V的单宽电源电压工作，完美适配现代低电压微控制器和数字系统。

该器件具备两个独立的反相输入通道，输入逻辑阈值（VIL=0.6V， VIH=1.4V）针对低压逻辑优化，确保了与处理器的可靠接口。其设计旨在提供高效的栅极驱动能力，以最小化外部功率MOSFET的开关损耗，同时其工业级温度范围（-40°C至85°C）保障了在各种环境下的稳定运行，非常适合空间受限的便携式与电池供电应用。

• 型号:LTC1982ES6#TRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.6V，1.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• LTC1982ES6#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。