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零件图片（仅供参考）
LTC1982ES6#TRM
规格参数

LTC1982ES6#TRM是一款由Analog Devices制造的双通道高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC。该器件采用SOT-23-6封装，设计用于1.8V至5.5V的单电源电压范围，可直接驱动两个独立的高端开关，简化了低电压系统的电源管理设计。

其核心优势在于兼容低电压逻辑，输入反相逻辑信号，具有明确的逻辑阈值（VIL 0.6V， VIH 1.4V），可与常见的微控制器直接接口。器件支持-40°C至85°C的工业级工作温度，并以剪切带形式提供，适用于要求高可靠性和节省空间的表面贴装应用，如便携式电子设备的负载切换与电源分配。

  • 制造商产品型号：LTC1982ES6#TRM
  • 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
  • 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
  • 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装：剪切带（CT）
  • 系列：-
  • 零件状态：最後
  • 驱动配置：高端
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电：1.8V ~ 5.5V
  • 逻辑电压-VIL，VIH：0.6V，1.4V
  • 电流-峰值输出（灌入，拉出）：-
  • 输入类型：反相
  • 高压侧电压-最大值（自举）：-
  • 上升/下降时间（典型值）：-
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：SOT-23-6
  • LTC1982ES6#TRM，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：LTC1982ES6#TRM
  • 原始制造厂商：ADI（ANALOG DEVICES，亚德诺半导体）
  • 技术标准参数：IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
  • 产品应用分类：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处查询LTC1982ES6#TRM的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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