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LTC1982ES6#TRM是一款由Analog Devices制造的双通道高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC。该器件采用SOT-23-6封装，设计用于1.8V至5.5V的单电源电压范围，可直接驱动两个独立的高端开关，简化了低电压系统的电源管理设计。

其核心优势在于兼容低电压逻辑，输入反相逻辑信号，具有明确的逻辑阈值（VIL 0.6V， VIH 1.4V），可与常见的微控制器直接接口。器件支持-40°C至85°C的工业级工作温度，并以剪切带形式提供，适用于要求高可靠性和节省空间的表面贴装应用，如便携式电子设备的负载切换与电源分配。

• 型号:LTC1982ES6#TRM
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.6V，1.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• LTC1982ES6#TRM，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。