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LTC1981ES5#TRPBF是亚德诺半导体推出的一款单通道高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC，采用微型TSOT-23-5封装。该器件设计用于在1.8V至5.5V的宽逻辑电源电压下工作，其逻辑输入阈值（VIL=0.6V， VIH=1.4V）确保了与各类低压微控制器和数字逻辑电路的可靠接口。

其核心价值在于提供了一种简洁高效的解决方案，以驱动连接在电源轨和负载之间的高端N-MOSFET，无需复杂的电平移位电路或额外的隔离电源。该器件工作温度范围为-40°C至85°C，采用表面贴装形式，非常适合空间受限、要求高可靠性及宽温度适应性的电池供电便携设备、DC-DC转换器及负载开关管理等应用。

• 型号:LTC1981ES5#TRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:TSOT-23-5
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE TSOT23-5
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.6V，1.4V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
• 供应商器件封装:TSOT-23-5
• LTC1981ES5#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。