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零件图片(仅供参考)
LTC1981ES5#TRPBF
规格参数

LTC1981ES5#TRPBF是亚德诺半导体推出的一款单通道高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC,采用微型TSOT-23-5封装。该器件设计用于在1.8V至5.5V的宽逻辑电源电压下工作,其逻辑输入阈值(VIL=0.6V, VIH=1.4V)确保了与各类低压微控制器和数字逻辑电路的可靠接口。

其核心价值在于提供了一种简洁高效的解决方案,以驱动连接在电源轨和负载之间的高端N-MOSFET,无需复杂的电平移位电路或额外的隔离电源。该器件工作温度范围为-40°C至85°C,采用表面贴装形式,非常适合空间受限、要求高可靠性及宽温度适应性的电池供电便携设备、DC-DC转换器及负载开关管理等应用。

  • 制造商产品型号:LTC1981ES5#TRPBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE TSOT23-5
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:高端
  • 通道类型:单路
  • 驱动器数:1
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:1.8V ~ 5.5V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:0.6V,1.4V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
  • 输入类型:反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
  • LTC1981ES5#TRPBF,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:LTC1981ES5#TRPBF
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE TSOT23-5
  • 产品应用分类:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处查询LTC1981ES5#TRPBF的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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