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零件图片（仅供参考）
LTC1693-1IS8#TRPBF
规格参数

LTC1693-1IS8#TRPBF是一款双通道、独立式N沟道MOSFET栅极驱动器，采用8-SOIC封装。该器件每个通道均可独立配置为高压侧或低压侧驱动，为半桥、全桥等功率拓扑提供了高度灵活的设计方案。

其核心优势在于强大的1.5A峰值输出电流和极快的16ns开关速度，能有效降低功率MOSFET的开关损耗，提升系统效率。器件支持4.5V至13.2V的宽电源电压范围，逻辑输入兼容CMOS/TTL电平，并可在-40°C至150°C的结温范围内稳定工作，满足工业级应用的可靠性要求。

  • 制造商产品型号：LTC1693-1IS8#TRPBF
  • 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
  • 描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
  • 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 驱动配置：高压侧或低压侧
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：2
  • 栅极类型：N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电：4.5V ~ 13.2V
  • 逻辑电压-VIL，VIH：1.7V，2.2V
  • 电流-峰值输出（灌入，拉出）：1.5A，1.5A
  • 输入类型：非反相
  • 高压侧电压-最大值（自举）：-
  • 上升/下降时间（典型值）：16ns，16ns
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • LTC1693-1IS8#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：LTC1693-1IS8#TRPBF
  • 原始制造厂商：ADI（ANALOG DEVICES，亚德诺半导体）
  • 技术标准参数：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
  • 产品应用分类：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处查询LTC1693-1IS8#TRPBF的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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