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LTC1255IN8是亚德诺半导体（ADI）推出的一款双通道、独立式高端栅极驱动器IC，采用8引脚DIP通孔封装。该器件专为驱动N沟道MOSFET设计，其核心价值在于解决了高压侧功率开关的驱动难题，输入逻辑兼容TTL/CMOS电平，供电电压范围宽达9V至24V。

该驱动器支持非反相控制，逻辑阈值明确（VIL=0.8V， VIH=2V），便于与控制系统接口。其宽工作温度范围（-40°C至85°C）和高端驱动配置，使其成为要求高可靠性的工业电源、电机驱动和功率转换系统的理想选择，能够有效提升系统的效率和鲁棒性。

• 型号:LTC1255IN8
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-PDIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:9V ~ 24V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-PDIP
• LTC1255IN8，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。