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LTC1155IS8#TRPBF是ADI公司推出的一款双通道、高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC，属于电源管理IC范畴。该器件采用8-SOIC表面贴装封装，工作电压范围宽达4.5V至18V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了设计的灵活性与环境适应性。

其核心功能在于提供两个独立的高端驱动通道，专为驱动N沟道MOSFET而优化。器件逻辑输入为非反相，具备0.8V（VIL）和2V（VIH）的标准兼容阈值，可直接与微处理器接口。此设计简化了在半桥、电机驱动或开关电源等拓扑中实现高边开关的电路复杂度，通过提供强劲的栅极驱动能力，旨在优化功率MOSFET的开关速度，从而提升系统整体效率与可靠性。

• 型号:LTC1155IS8#TRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.5V ~ 18V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• LTC1155IS8#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。