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LTC1155IS8#PBF是ADI公司推出的一款双通道、高端N沟道MOSFET栅极驱动器，采用8-SOIC封装。该器件设计用于在4.5V至18V的单电源电压下工作，可直接驱动高侧功率MOSFET，无需额外的隔离电源，显著简化了电路设计。

其核心卖点包括宽电源电压范围带来的设计灵活性，以及0.8V/2V的逻辑输入阈值确保了与常见控制器的可靠接口。器件可在-40°C至85°C的工业温度范围内稳定运行，两个独立的高端驱动通道为构建高效的半桥或双开关拓扑提供了紧凑的解决方案，适用于开关电源和电机驱动等应用。

• 型号:LTC1155IS8#PBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.5V ~ 18V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• LTC1155IS8#PBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。