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零件图片(仅供参考)
LTC1155IN8#PBF
规格参数

LTC1155IN8#PBF是ADI公司推出的一款双通道高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC,采用8引脚DIP封装。该器件设计用于简化高压侧开关控制,其单电源4.5V至18V的宽工作电压范围与集成的自举功能,使其无需独立的隔离电源即可高效驱动MOSFET。

其逻辑输入兼容TTL/CMOS电平(VIL/VIH为0.8V/2V),可直接与微处理器接口,提供了良好的噪声容限。器件支持-40°C至85°C的工业级温度范围,两个独立通道支持灵活的功率拓扑配置,适用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等需要可靠高端驱动的应用。

  • 制造商产品型号:LTC1155IN8#PBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:高端
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:4.5V ~ 18V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:8-DIP(0.300,7.62mm)
  • LTC1155IN8#PBF,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:LTC1155IN8#PBF
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
  • 产品应用分类:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处查询LTC1155IN8#PBF的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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