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LTC1155CS8#TR是ADI公司推出的一款双通道、高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于在4.5V至18V的宽电源电压范围内工作，通过集成自举电路，有效解决了驱动高侧浮动MOSFET的挑战。

其每个通道独立，输入逻辑兼容CMOS/TTL电平（VIL=0.8V， VIH=2V），采用非反相设计，能够将低压逻辑信号可靠地转换为驱动功率开关所需的高侧栅极信号。此特性使其成为同步整流DC-DC转换器、电机驱动桥臂以及各类需要高效高侧开关控制的电源管理应用的理想选择。

• 型号:LTC1155CS8#TR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.5V ~ 18V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• LTC1155CS8#TR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。