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零件图片(仅供参考)
LTC1154HS8#TRPBF
规格参数

LTC1154HS8#TRPBF是ADI公司推出的一款单通道、高端N沟道MOSFET栅极驱动器IC,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于在4.5V至18V的单电源电压下工作,通过内部集成的电荷泵电路生成高于电源轨的栅极驱动电压,从而有效驱动连接在电源与负载之间的高端MOSFET。

其核心优势在于简化了高压侧开关的设计。器件具有明确的逻辑输入阈值(VIL=0.8V, VIH=2V)和非反相输入特性,确保了与标准逻辑电路的直接、可靠接口。宽工作温度范围(-40°C至150°C)使其能够适应工业控制、汽车电子等环境条件严苛的应用场景,为同步整流、电机驱动和高端负载开关等关键电源管理功能提供了坚固、高效的驱动解决方案。

  • 制造商产品型号:LTC1154HS8#TRPBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:高端
  • 通道类型:单路
  • 驱动器数:1
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:4.5V ~ 18V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • LTC1154HS8#TRPBF,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:LTC1154HS8#TRPBF
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
  • 产品应用分类:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处查询LTC1154HS8#TRPBF的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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