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LTC1154CN8是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高端单通道N沟道MOSFET栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件集成了自举电荷泵，仅需单一的4.5V至18V逻辑电源，即可有效驱动高侧功率MOSFET，无需额外的隔离电源，极大简化了半桥或电机驱动等拓扑的电源设计。

其设计注重易用性与兼容性，输入采用非反相逻辑，阈值电压（VIL=0.8V， VIH=2V）兼容标准TTL/CMOS电平，可直接由微控制器驱动。器件采用8引脚DIP通孔封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业及工业级应用环境，为电机控制、开关电源和功率开关电路提供了可靠、简洁的高侧驱动解决方案。

• 型号:LTC1154CN8
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-PDIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:4.5V ~ 18V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-PDIP
• LTC1154CN8，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。