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零件图片(仅供参考)
LTC1154CN8
规格参数

LTC1154CN8是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高端单通道N沟道MOSFET栅极驱动器IC,属于电源管理IC产品线。该器件集成了自举电荷泵,仅需单一的4.5V至18V逻辑电源,即可有效驱动高侧功率MOSFET,无需额外的隔离电源,极大简化了半桥或电机驱动等拓扑的电源设计。

其设计注重易用性与兼容性,输入采用非反相逻辑,阈值电压(VIL=0.8V, VIH=2V)兼容标准TTL/CMOS电平,可直接由微控制器驱动。器件采用8引脚DIP通孔封装,工作温度范围为0°C至70°C,适用于商业及工业级应用环境,为电机控制、开关电源和功率开关电路提供了可靠、简洁的高侧驱动解决方案。

  • 制造商产品型号:LTC1154CN8
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:高端
  • 通道类型:单路
  • 驱动器数:1
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:4.5V ~ 18V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:8-DIP(0.300,7.62mm)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:LTC1154CN8
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
  • 产品应用分类:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处查询LTC1154CN8的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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