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LT1910ES8#TRPBF是一款单通道高端栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装，专为驱动N沟道MOSFET设计。其核心优势在于8V至48V的宽范围工作电压，以及0.8V/2V的逻辑输入阈值，确保了与低压控制信号的直接、可靠兼容。

该器件集成了关键功能，提供了非反相输入和高端驱动配置，简化了在半桥、同步整流等拓扑中的电路设计。其额定工作温度范围为-40°C至85°C，采用表面贴装形式，适用于对空间和可靠性有要求的工业及汽车电源管理应用。

• 型号:LT1910ES8#TRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:8V ~ 48V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• LT1910ES8#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。