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零件图片（仅供参考）
LT1162ISW#TRPBF
规格参数

LT1162ISW#TRPBF是ADI公司推出的一款半桥栅极驱动器IC，采用24-SOIC封装，专为高效驱动N沟道MOSFET设计。该器件集成了两个独立的驱动通道，可提供1.5A的峰值输出电流，并具备130ns和60ns的典型上升/下降时间，能有效降低开关损耗，提升系统效率。

其工作电压范围为10V至15V，高压侧支持最高60V的自举电压，输入逻辑兼容标准TTL/CMOS电平。器件可在-40°C至125°C的宽结温范围内稳定工作，满足工业及汽车应用的可靠性要求，是电机控制、开关电源和DC-DC转换器等功率管理系统的核心驱动解决方案。

  • 制造商产品型号：LT1162ISW#TRPBF
  • 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
  • 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
  • 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装：卷带（TR）
  • 系列：-
  • 零件状态：有源
  • 驱动配置：半桥
  • 通道类型：独立式
  • 驱动器数：4
  • 栅极类型：N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电：10V ~ 15V
  • 逻辑电压-VIL，VIH：0.8V，2V
  • 电流-峰值输出（灌入，拉出）：1.5A，1.5A
  • 输入类型：非反相
  • 高压侧电压-最大值（自举）：60V
  • 上升/下降时间（典型值）：130ns，60ns
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 产品封装：24-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
  • LT1162ISW#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：LT1162ISW#TRPBF
  • 原始制造厂商：ADI（ANALOG DEVICES，亚德诺半导体）
  • 技术标准参数：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
  • 产品应用分类：电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处查询LT1162ISW#TRPBF的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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