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LT1162ISW#TRPBF是ADI公司推出的一款半桥栅极驱动器IC，采用24-SOIC封装，专为高效驱动N沟道MOSFET设计。该器件集成了两个独立的驱动通道，可提供1.5A的峰值输出电流，并具备130ns和60ns的典型上升/下降时间，能有效降低开关损耗，提升系统效率。

其工作电压范围为10V至15V，高压侧支持最高60V的自举电压，输入逻辑兼容标准TTL/CMOS电平。器件可在-40°C至125°C的宽结温范围内稳定工作，满足工业及汽车应用的可靠性要求，是电机控制、开关电源和DC-DC转换器等功率管理系统的核心驱动解决方案。

• 型号:LT1162ISW#TRPBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:24-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:4
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 15V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V
• 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:24-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:24-SOIC
• LT1162ISW#TRPBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。