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LT1162IN是一款由Analog Devices生产的半桥栅极驱动器IC，采用24-DIP通孔封装。该器件集成了两个独立的通道，可分别驱动高压侧和低压侧的N沟道MOSFET，构成完整的半桥驱动方案，其高压侧支持最高60V的自举电压。

该驱动器具备1.5A的峰值输出电流能力，配合130ns和60ns的典型开关速度，能够快速驱动功率MOSFET，有效降低开关损耗。其输入逻辑兼容标准CMOS/TTL电平，工作电源电压范围为10V至15V，并可在-40°C至125°C的宽温范围内稳定工作，适用于要求苛刻的工业环境。

• 型号:LT1162IN
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:24-PDIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:4
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 15V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V
• 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:24-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:24-PDIP
• LT1162IN，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。