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LT1161CSW#PBF是ADI公司推出的一款四通道、独立式高边N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用20-SOIC封装，设计用于8V至48V的宽电源电压范围，可在0°C至125°C的结温下稳定工作，其非反相输入逻辑兼容标准逻辑电平，便于与控制系统接口。

该驱动器的核心价值在于其高边驱动配置与多通道独立控制能力，使其成为构建半桥、H桥或多相拓扑功率级的理想选择。它能够有效驱动功率MOSFET，适用于电机驱动、多相DC-DC转换器及高边负载开关等需要精密功率管理的应用场景。

• 型号:LT1161CSW#PBF
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:20-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:4
• 栅极类型:MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:8V ~ 48V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:-
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:20-SO
• LT1161CSW#PBF，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。