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LT1158ISW#TRPBF 零件图片(仅供参考)

LT1158ISW#TRPBF
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LT1158ISW#TRPBF 规格参数

LT1158ISW#TRPBF 是ADI公司推出的一款半桥栅极驱动器IC,采用16-SOIC封装,专为驱动N沟道MOSFET设计。该器件集成了两个同步驱动器,支持5V至30V的宽供电电压范围,并提供高达56V的自举电压能力,简化了高侧驱动设计。

其核心优势在于提供对称的500mA峰值拉电流和灌电流输出,配合130ns(典型上升时间)和120ns(典型下降时间)的快速开关性能,可有效优化功率MOSFET的开关轨迹,降低开关损耗。器件具备反相/非反相输入灵活性,逻辑阈值兼容性强,并能在-40°C至150°C的结温范围内稳定工作,适用于对效率和可靠性要求严苛的工业与汽车电源应用。

  • 型号:LT1158ISW#TRPBF
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:16-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:5V ~ 30V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):500mA,500mA
  • 输入类型:反相,非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):56 V
  • 上升/下降时间(典型值):130ns,120ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-SO
  • LT1158ISW#TRPBF,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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LT1158ISW#TRPBF 基本参数:

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