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HMC849LP4CE是ADI公司生产的一款高性能SPDT吸收式射频开关，采用16-QFN封装。其核心优势在于覆盖直流至6GHz的极宽工作频带，并在全频带内提供优异的射频性能。

该器件在6GHz下具备低至1.7dB的插入损耗和高达52dB的端口隔离度，确保了信号路径的高效与纯净。同时，其35dBm的P1dB和52dBm的IIP3指标提供了卓越的功率处理能力和线性度，适合用于大功率、高动态范围的射频系统。其工业级工作温度范围（-40°C ~ 85°C）进一步拓宽了应用场景。

• 型号:HMC849LP4CE
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 16QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 6GHz
• 隔离:52dB
• 插损:1.7dB
• 测试频率:6GHz
• P1dB:35dBm
• IIP3:52dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC849LP4CE，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。