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HMC8412LP2FETR 零件图片(仅供参考)

HMC8412LP2FETR
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HMC8412LP2FETR 规格参数

HMC8412LP2FETR是亚德诺半导体(ADI)生产的一款有源、宽带低噪声放大器(LNA),属于RF-IF和RFID射频放大器类别。该器件采用表面贴装型6-VDFN封装,设计工作在400MHz至11GHz的宽频率范围内,为雷达等射频系统提供前端信号放大。

其核心性能参数突出,在400MHz至9GHz的测试频段内,提供14dB的稳定增益,同时噪声系数低至1.4dB,显著提升了接收链路的信噪比与灵敏度。输出1dB压缩点(P1dB)为18dBm,确保了良好的线性性能。器件支持2V至6V单电源供电,典型工作电流为60mA,在性能与功耗之间实现了优秀平衡,适用于对尺寸和效率有严格要求的现代射频设计。

  • 型号:HMC8412LP2FETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:6-LFCSP(2x2)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC AMP RADAR 400MHZ-11GHZ 6LFCSP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 频率:400MHz ~ 11GHz
  • P1dB:18dBm
  • 增益:14dB
  • 噪声系数:1.4dB
  • 射频类型:雷达
  • 电压 - 供电:2V ~ 6V
  • 电流 - 供电:60mA
  • 测试频率:400MHz ~ 9GHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-VDFN 焊盘,CSP
  • 供应商器件封装:6-LFCSP(2x2)
  • HMC8412LP2FETR,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC8412LP2FETR 基本参数:

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