HMC8412LP2FETR是亚德诺半导体（ADI）生产的一款有源、宽带低噪声放大器（LNA），属于RF-IF和RFID射频放大器类别。该器件采用表面贴装型6-VDFN封装，设计工作在400MHz至11GHz的宽频率范围内，为雷达等射频系统提供前端信号放大。

其核心性能参数突出，在400MHz至9GHz的测试频段内，提供14dB的稳定增益，同时噪声系数低至1.4dB，显著提升了接收链路的信噪比与灵敏度。输出1dB压缩点（P1dB）为18dBm，确保了良好的线性性能。器件支持2V至6V单电源供电，典型工作电流为60mA，在性能与功耗之间实现了优秀平衡，适用于对尺寸和效率有严格要求的现代射频设计。