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零件图片(仅供参考)
HMC788LP2E
规格参数

HMC788LP2E是Analog Devices Inc.生产的一款通用型GaAs pHEMT增益块放大器,采用6-DFN(2x2)紧凑封装。该器件设计用于提供从直流(0Hz)到10GHz频率范围内的宽带信号放大。

其核心性能参数包括12dB的典型增益、高达20dBm的输出P1dB以及9dB的噪声系数,在确保高线性输出功率的同时,提供了良好的噪声性能。芯片采用单5V电源供电,典型工作电流为76mA,内部匹配至50欧姆,极大简化了射频电路设计,适用于需要宽频带、高线性度放大的各类通信与测试系统。

  • 制造商产品型号:HMC788LP2E
  • 制造厂家名称:Analog Devices Inc
  • 描述:IC GAIN BLOCK AMP 6DFN
  • 系列:-
  • 频率:0Hz ~ 10GHz
  • P1dB:20dBm
  • 增益:12dB
  • 噪声系数:9dB
  • RF 类型:通用
  • 电压 - 电源:5V
  • 电流 - 电源:76mA
  • 测试频率:-
  • 产品封装:6-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:6-DFN(2x2)
  • HMC788LP2E,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HMC788LP2E
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC GAIN BLOCK AMP 6DFN
  • 产品应用分类:RF放大器
  • 点击此处查询HMC788LP2E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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