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零件图片(仅供参考)
HMC784MS8GE
规格参数

HMC784MS8GE是ADI(Analog Devices)推出的一款高性能SPDT射频开关芯片,工作频率覆盖直流至4GHz。该器件在4GHz测试频率下,能提供30dB的高隔离度和仅1.3dB的低插入损耗,确保信号路径切换的高效与纯净。

其核心优势在于卓越的线性度与功率处理能力,1dB压缩点(P1dB)达41dBm,三阶交调截点(IIP3)高达60dBm,非常适合要求高动态范围和大功率处理的应用。芯片采用3V至8V单电源供电,工作温度范围为-40°C至85°C,并采用紧凑的8-MSOP封装,为射频前端设计提供了高集成度与可靠性的解决方案。

  • 制造商产品型号:HMC784MS8GE
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 8MSOP
  • 系列:射频开关
  • 零件状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:反射
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 4GHz
  • 隔离:30dB
  • 插损:1.3dB
  • 测试频率:4GHz
  • P1dB:41dBm
  • IIP3:60dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压-供电:3V ~ 8V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HMC784MS8GE
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 8MSOP
  • 产品应用分类:射频开关
  • 点击此处查询HMC784MS8GE的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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