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HMC784MS8GE是ADI（Analog Devices）推出的一款高性能SPDT射频开关芯片，工作频率覆盖直流至4GHz。该器件在4GHz测试频率下，能提供30dB的高隔离度和仅1.3dB的低插入损耗，确保信号路径切换的高效与纯净。

其核心优势在于卓越的线性度与功率处理能力，1dB压缩点（P1dB）达41dBm，三阶交调截点（IIP3）高达60dBm，非常适合要求高动态范围和大功率处理的应用。芯片采用3V至8V单电源供电，工作温度范围为-40°C至85°C，并采用紧凑的8-MSOP封装，为射频前端设计提供了高集成度与可靠性的解决方案。

• 型号:HMC784MS8GE
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:反射
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 4GHz
• 隔离:30dB
• 插损:1.3dB
• 测试频率:4GHz
• P1dB:41dBm
• IIP3:60dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:3V ~ 8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• HMC784MS8GE，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。