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零件图片(仅供参考)
HMC758LP3E
规格参数

HMC758LP3E是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能射频放大器,工作频率覆盖700MHz至2.2GHz的宽范围,专为LTE、WiMAX等现代无线通信标准优化设计。

该器件在提供高达22dB增益的同时,保持了优异的1.7dB低噪声系数和24dBm的输出1dB压缩点,实现了高增益、低噪声与良好线性度的出色平衡。其采用3V或5V单电源供电,并以紧凑的16-QFN表面贴装封装,为基站、无线基础设施及测试设备中的射频前端设计提供了高效、可靠的解决方案。

  • 制造商产品型号:HMC758LP3E
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC AMP LTE 700MHZ-2.2GHZ 16QFN
  • 类别:RF-IF 和 RFID 射频放大器
  • 零件状态:停产
  • 频率:700MHz ~ 2.2GHz
  • P1dB:24dBm
  • 增益:22dB
  • 噪声系数:1.7dB
  • 射频类型:LTE,WiMax
  • 电压-供电:3V,5V
  • 电流-供电:227mA
  • 测试频率:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:16-VQFN
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HMC758LP3E
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC AMP LTE 700MHZ-2.2GHZ 16QFN
  • 产品应用分类:射频放大器
  • 点击此处查询HMC758LP3E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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