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HMC755LP4ETR 零件图片(仅供参考)

HMC755LP4ETR
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HMC755LP4ETR 规格参数

HMC755LP4ETR是ADI公司推出的一款射频功率放大器集成电路,工作频率覆盖2.3GHz至2.8GHz,专为LTE和WiMax无线通信系统设计。该芯片采用24引脚QFN表面贴装封装,在5V单电源供电下工作。

其核心性能优势在于高达31dB的增益和31dBm的输出1dB压缩点,这确保了在宽频带内卓越的线性功率放大能力,能够有效处理高峰均功率比的现代调制信号。这些特性使其非常适用于要求高线性度和高输出功率的基站、中继器及客户端设备等应用场景。

  • 型号:HMC755LP4ETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC AMP LTE 2.3GHZ-2.8GHZ 24QFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 频率:2.3GHz ~ 2.8GHz
  • P1dB:31dBm
  • 增益:31dB
  • 噪声系数:-
  • 射频类型:LTE,WiMax
  • 电压 - 供电:5V
  • 电流 - 供电:480mA
  • 测试频率:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC755LP4ETR,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC755LP4ETR 基本参数:

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