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HMC755LP4E 零件图片(仅供参考)

HMC755LP4E
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HMC755LP4E 规格参数

HMC755LP4E是ADI公司推出的一款面向2.3GHz至2.8GHz频段的射频功率放大器集成电路。该芯片采用24引脚QFN封装,基于表面贴装技术,在5V单电源供电下工作,典型电流消耗为480mA。

其核心性能表现为在整个工作频带内提供高达31dB的增益以及+31dBm的1dB压缩点输出功率,具备优异的线性放大能力。这些特性使其能够有效驱动后级电路,非常适合应用于LTE和WiMAX等无线通信系统的射频前端,作为关键的驱动放大器来提升发射链路的信号强度与质量。

  • 型号:HMC755LP4E
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:24-QFN(4x4)
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC AMP LTE 2.3GHZ-2.8GHZ 24QFN
  • 系列:-
  • 包装:带
  • 产品状态:停产
  • 频率:2.3GHz ~ 2.8GHz
  • P1dB:31dBm
  • 增益:31dB
  • 噪声系数:-
  • 射频类型:LTE,WiMax
  • 电压 - 供电:5V
  • 电流 - 供电:480mA
  • 测试频率:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:24-VFQFN 焊盘
  • 供应商器件封装:24-QFN(4x4)
  • HMC755LP4E,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC755LP4E 基本参数:

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