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HMC754S8GETR 零件图片(仅供参考)

HMC754S8GETR
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HMC754S8GETR 规格参数

HMC754S8GETR是一款由Analog Devices生产的通用射频放大器芯片,采用8-SOIC表面贴装封装。其核心特性在于覆盖从直流(0Hz)到1GHz的极宽工作频带,能够为各类射频信号链提供基础的放大功能。

该器件在5V单电源供电下,可提供14.7dB的典型增益和21dBm的高输出功率(P1dB),确保了良好的信号放大能力和线性度。其6.5dB的噪声系数在通用放大器中表现均衡,适合用于对系统噪声有一定要求但非极致的应用场景,如中频放大、测试设备及宽带信号处理模块。

  • 型号:HMC754S8GETR
  • 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:射频和无线 > 射频放大器
  • 描述:IC RF AMP GPS 0HZ-1GHZ 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 频率:0Hz ~ 1GHz
  • P1dB:21dBm
  • 增益:14.7dB
  • 噪声系数:6.5dB
  • 射频类型:通用
  • 电压 - 供电:5V
  • 电流 - 供电:160mA
  • 测试频率:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)焊盘
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • HMC754S8GETR,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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HMC754S8GETR 基本参数:

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