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HMC717ALP3E是一款覆盖4.8GHz至6GHz频段的射频放大器，采用表面贴装型16-VFQFN封装。其核心优势在于在宽频带内实现了高增益、高线性度与超低噪声的出色结合，典型增益为14.5dB，噪声系数低至1.1dB，输出1dB压缩点达18dBm。

该器件专为LTE、WiMAX等现代无线通信标准优化，单3V供电且功耗仅约204mW，设计高效。其集成化的内部匹配简化了应用电路，是微波点对点通信、卫星终端和测试设备中提升接收灵敏度或驱动能力的理想选择。

• 型号:HMC717ALP3E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频放大器
• 描述:IC RF AMP LTE 4.8GHZ-6GHZ 16QFN
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:在售
• 频率:4.8GHz ~ 6GHz
• P1dB:18dBm
• 增益:14.5dB
• 噪声系数:1.1dB
• 射频类型:LTE，WiMax
• 电压 - 供电:3V
• 电流 - 供电:68mA
• 测试频率:4.8GHz ~ 6GHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC717ALP3E，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。