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零件图片(仅供参考)

规格参数
HMC715LP3E是亚德诺半导体(ADI)推出的一款面向LTE和WiMax应用的射频放大器集成电路。该器件采用16-VFQFN表面贴装封装,工作频率覆盖2.1GHz至2.9GHz宽频带,为射频前端设计提供了高集成度的解决方案。
其核心性能参数突出,在宽频带内提供19dB的高增益,同时噪声系数低至0.9dB,显著有利于提升接收链路的信噪比。输出1dB压缩点达到19.5dBm,保证了良好的线性度和动态范围。芯片支持3V至5V单电源供电,静态电流95mA,在性能与功耗间取得了有效平衡。

基本参数:
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