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HMC715LP3E是亚德诺半导体（ADI）推出的一款面向LTE和WiMax应用的射频放大器集成电路。该器件采用16-VFQFN表面贴装封装，工作频率覆盖2.1GHz至2.9GHz宽频带，为射频前端设计提供了高集成度的解决方案。

其核心性能参数突出，在宽频带内提供19dB的高增益，同时噪声系数低至0.9dB，显著有利于提升接收链路的信噪比。输出1dB压缩点达到19.5dBm，保证了良好的线性度和动态范围。芯片支持3V至5V单电源供电，静态电流95mA，在性能与功耗间取得了有效平衡。

• 型号:HMC715LP3E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频放大器
• 描述:IC AMP LTE 2.1GHZ-2.9GHZ 16QFN
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:停产
• 频率:2.1GHz ~ 2.9GHz
• P1dB:19.5dBm
• 增益:19dB
• 噪声系数:0.9dB
• 射频类型:LTE，WiMax
• 电压 - 供电:3V，5V
• 电流 - 供电:95mA
• 测试频率:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC715LP3E，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。