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HMC626ALP5ETR是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能射频放大器集成电路，属于RF-IF和RFID类别。该芯片采用32-VFQFN表面贴装封装，设计用于0Hz至1GHz的极宽频率范围，特别优化适用于LTE和WiMax等现代无线通信标准。

其核心性能优势在于提供了高达35dB的增益，同时保持了仅2.8dB的低噪声系数，这使其能够显著提升接收链路的信噪比。在输出线性度方面，其1dB压缩点（P1dB）达到20dBm，确保了在大信号输入下的稳定工作。器件采用单5V电源供电，典型工作电流为178.4mA，其关键参数在500MHz至1GHz的测试频率下得到表征，为宽带射频前端设计提供了一个高增益、低噪声的可靠解决方案。

• 型号:HMC626ALP5ETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:32-QFN（5x5）
• 类目:射频和无线 > 射频放大器
• 描述:IC RF AMP LTE 0HZ-1GHZ 32QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 频率:0Hz ~ 1GHz
• P1dB:20dBm
• 增益:35dB
• 噪声系数:2.8dB
• 射频类型:LTE，WiMax
• 电压 - 供电:5V
• 电流 - 供电:178.4mA
• 测试频率:500MHz ~ 1GHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:32-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:32-QFN（5x5）
• HMC626ALP5ETR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。