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零件图片(仅供参考)
HMC623LP4E
规格参数

HMC623LP4E是亚德诺半导体(ADI)生产的一款高集成度射频下变频器芯片,采用24-QFN封装。该器件工作频率覆盖1.8GHz至2.7GHz,专为LTE和WiMax等无线通信系统优化,集成了低噪声放大器、镜像抑制混频器及中频放大器,实现了完整的接收前端功能。

其核心性能优势在于高达33dB的增益和仅为4dB的噪声系数,这为接收链路提供了出色的信号放大能力和高灵敏度。器件采用4.5V至5.5V单电源供电,典型工作电流为250mA。作为一款表面贴装型IC,它显著简化了射频接收机设计,适用于对集成度和性能有较高要求的基站及射频设备。

  • 制造商产品型号:HMC623LP4E
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RFIC DOWNCONVERTER 24-QFN
  • 系列:射频混频器
  • 包装:散装
  • 零件状态:停产
  • 射频类型:LTE,WiMax
  • 频率:1.8GHz ~ 2.7GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:33dB
  • 噪声系数:4dB
  • 辅助属性:降频变频器
  • 电流-供电:250mA
  • 电压-供电:4.5V ~ 5.5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:24-VQFN
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HMC623LP4E
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC RFIC DOWNCONVERTER 24-QFN
  • 产品应用分类:射频混频器
  • 点击此处查询HMC623LP4E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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