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HMC618LP3E是一款由Analog Devices生产的宽频带低噪声放大器，工作频率覆盖1.2GHz至2.2GHz。该芯片采用16-VFQFN表面贴装封装，在3V或5V单电源供电下工作，典型电流消耗为89mA。

其核心性能优势在于在1.7GHz至2GHz频段内实现了高增益（19dB）与超低噪声系数（0.75dB）的出色平衡，同时提供了+20dBm的较高输出1dB压缩点，确保了优异的接收灵敏度和线性度。这些特性使其非常适用于LTE、WiMax等无线通信系统的射频接收前端，能有效提升链路的整体动态范围和信号质量。

• 型号:HMC618LP3E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频放大器
• 描述:IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 频率:1.2GHz ~ 2.2GHz
• P1dB:20dBm
• 增益:19dB
• 噪声系数:0.75dB
• 射频类型:LTE，WiMax
• 电压 - 供电:3V，5V
• 电流 - 供电:89mA
• 测试频率:1.7GHz ~ 2GHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC618LP3E，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。