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HMC574AMS8ETR是一款覆盖直流至3GHz的宽带SPDT射频开关，采用反射式拓扑和GaAs pHEMT技术。其核心优势在于极低的0.5dB插入损耗和高达63dBm的IIP3，确保了在高功率应用中的卓越线性度和信号完整性。

该器件在3GHz下提供20dB的端口隔离，并具备39dBm的1dB压缩点，能够稳健处理大功率信号。其设计支持3V至8V单电源工作，采用8-MSOP紧凑封装，工作温度范围达-40°C至85°C，是WiMax、WLAN等无线基础设施和测试设备中实现高效信号路径切换的理想选择。

• 型号:HMC574AMS8ETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 射频类型:WiMax，WLAN
• 拓扑:反射
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 3GHz
• 隔离:20dB
• 插损:0.5dB
• 测试频率:3GHz
• P1dB:39dBm
• IIP3:63dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:3V ~ 8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
• 供应商器件封装:8-MSOP
• HMC574AMS8ETR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。