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HMC547LP3ETR是亚德诺半导体（ADI）生产的一款高性能SPDT吸收式射频开关。该器件基于GaAs pHEMT工艺，在直流至20GHz的极宽频率范围内，提供了优异的射频特性，包括38dB的高隔离度和仅2dB的低插入损耗（测试频率20GHz），有效保障了信号路径的纯净度与传输效率。

其核心卖点在于卓越的线性度与功率处理能力，1dB压缩点（P1dB）达到23dBm，三阶交调截点（IIP3）高达45dBm，使其能够在大功率信号场景下保持低失真工作。芯片采用16引脚QFN封装，阻抗为标准的50欧姆，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:HMC547LP3ETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:16-QFN（3x3）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 20GHZ 16QFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 射频类型:通用
• 拓扑:吸收
• 电路:SPDT
• 频率范围:0Hz ~ 20GHz
• 隔离:38dB
• 插损:2dB
• 测试频率:20GHz
• P1dB:23dBm
• IIP3:45dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:16-VFQFN 焊盘
• 供应商器件封装:16-QFN（3x3）
• HMC547LP3ETR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。