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HMC546MS8GETR是ADI推出的一款高性能SPDT射频开关，覆盖200 MHz至2.2 GHz的宽频率范围，主要面向手机等移动通信应用。

该芯片在2.17 GHz下的关键性能指标突出，插损仅为1.1 dB，隔离度高达30 dB，确保了高效的信号传输与有效的通道隔离。其43 dBm的P1dB功率处理能力提供了优异的线性度，适合高功率场景。器件采用3V单电源供电，工作温度范围宽达-40°C至85°C，并采用节省空间的8-MSOP封装，易于在紧凑的射频前端设计中集成。

• 型号:HMC546MS8GETR
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:8-MSOP-EP
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 2.2GHZ 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 射频类型:手机
• 拓扑:-
• 电路:SPDT
• 频率范围:200MHz ~ 2.2GHz
• 隔离:30dB
• 插损:1.1dB
• 测试频率:2.17GHz
• P1dB:43dBm
• IIP3:-
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:3V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）焊盘
• 供应商器件封装:8-MSOP-EP
• HMC546MS8GETR，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。