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HMC546LP2E是一款基于GaAs pHEMT工艺的单刀双掷（SPDT）反射式射频开关，覆盖200MHz至2.7GHz的宽频率范围。该器件在2.7GHz下实现了0.7dB的低插入损耗和40dB的高端口隔离度，核心优势在于其高达43dBm的输入三阶交调截点（IIP3），确保了在大功率信号场景下的卓越线性度与低失真性能。

其设计采用50欧姆标准阻抗，兼容TTL/CMOS逻辑控制，并采用6-DFN紧凑型封装，工作温度范围为-40°C至85°C。这些特性使其成为WiMAX/WiBro基础设施、点对点射频链路、测试设备以及其他要求高可靠性和高性能射频路径切换应用的理想解决方案。

• 型号:HMC546LP2E
• 品牌:Analog Devices Inc. (ADI,亚德诺半导体)
• 封装:6-DFN（2x2）
• 类目:射频和无线 > 射频开关
• 描述:IC RF SWITCH SPDT 2.7GHZ 6DFN
• 系列:-
• 包装:带
• 产品状态:在售
• 射频类型:WiMAX / WiBro
• 拓扑:反射
• 电路:SPDT
• 频率范围:200MHz ~ 2.7GHz
• 隔离:40dB
• 插损:0.7dB
• 测试频率:2.7GHz
• P1dB:-
• IIP3:43dBm
• 特性:-
• 阻抗:50 欧姆
• 电压 - 供电:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TDFN 焊盘
• 供应商器件封装:6-DFN（2x2）
• HMC546LP2E，ADI（亚德诺）产品一站式供应商。