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零件图片(仅供参考)
HMC536MS8GTR
规格参数

HMC536MS8GTR是一款覆盖直流至6GHz宽频带的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关。该器件在6GHz测试频率下,实现了0.7dB的低插入损耗和32dB的高端口隔离度,为核心射频链路提供了高效、纯净的信号路径切换能力。

其关键优势在于卓越的线性度,输入三阶交调截点(IIP3)高达48dBm,使其能够处理高功率信号并显著抑制互调失真,非常适合多载波和高动态范围应用。芯片采用50欧姆设计,工作温度范围为-40°C至85°C,并以紧凑的8-MSOP封装形式提供,为宽带通信、测试测量及国防电子系统的射频前端设计提供了高性能、高可靠性的集成化解决方案。

  • 制造商产品型号:HMC536MS8GTR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 8MSG
  • 系列:射频开关
  • 零件状态:有源
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:反射
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 6GHz
  • 隔离:32dB
  • 插损:0.7dB
  • 测试频率:6GHz
  • P1dB:-
  • IIP3:48dBm
  • 特性:-
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压-供电:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • HMC536MS8GTR,ADI(亚德诺)产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:HMC536MS8GTR
  • 原始制造厂商:ADI(ANALOG DEVICES,亚德诺半导体)
  • 技术标准参数:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 8MSG
  • 产品应用分类:射频开关
  • 点击此处查询HMC536MS8GTR的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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